TSC (Taiwan Semiconductor)
MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH (TSM110NB04CR RLG)
Part Number: TSM110NB04CR RLG
Documents / Media: datasheets отсутствует
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR) Alternate Packaging
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип полевого транзистора: N-Channel
- Технология: MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение сток-исток ( (Vdss): 40V
- Ток стока (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 54A (Tc)
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
- Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V
- Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id: 4V @ 250µA
- Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 23nC @ 10V
- Vgs (Max): ±20V
- Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1443pF @ 20V
- Особенности полевого транзистора: -
- Рассеивание мощности (Макс): 3.1W (Ta), 68W (Tc)
- Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
- Вид монтажа: Surface Mount
- Исполнение корпуса: 8-PDFN (5x6)
- Корпус: 8-PowerLDFN
Цена по запросу